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曼联vs皇马比分预测:風扇7930C 臨界導通模式PFC控制器

時間:2019-11-7, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

瓦伦西亚曼联 www.rxlibr.com.cn 特征 :功率因數校正就緒信號車輛識別號缺失檢測最大SW瘙癢頻率限制內部軟啟動和無超調啟動內部總諧波失真(THD)優化器精確可調輸出過電壓?;た攀椒蠢”;ず徒霉δ芪薜緦骷觳餛鰨╖CD)150μs內部啟動定時器晶體管過電流?;ぃ∣CP)帶3.5 V滯后的欠壓鎖定啟動和運行電流低帶高狀態夾的圖騰柱輸出+500/-800毫安峰值柵極驅動電流8針,小外形包裝(SOP)應用:適配器壓艙物液晶電視、CRT電視

說明 :FA N7930C是一個有效的功率因數校正(PFC)用于運行boost PFC應用程序的控制器處于臨界傳導模式(CRM)它使用一個電壓模式的脈寬調制,比較內部斜坡信號與產生MOSFET關斷的誤差放大器輸出信號因為電壓模式CRM PFC控制器不需要校正C線電壓信息,它節省輸入電壓傳感網絡的功率損耗當前模式CRM PFC控制器所必需的。FA N7930C提供過電壓?;ぃ∣V P),開反饋?;?、過流?;ぃ∣CP)、輸入電壓缺失檢測和欠壓鎖定?;ぃ║VLO)PFC就緒引腳可用于觸發其他功率級輸出電壓達到適當的滯后水平。如果INV引腳電壓為低于0.45v,工作電流降低非常低的水平使用新的變量實時控制方法,總諧波失真(THD)比傳統客戶關系管理促進PFC集成電路。

應用程序信息一啟動:正常情況下,PFC的電源電壓(VCC)塊由額外的電源供電,它可以被稱為備用電源沒有這個備用電源,輔助電流檢測可用于零電流檢測作為供應源一旦PFC的電源電壓塊超過12 V,內部操作啟用,直到電壓降到8.5伏。如果VCC超過VZ,20毫安VCC的電流正在下降。

2.INV Block:輸出的標度dow n電壓為INV pin的輸入嵌入了許多功能基于INV引腳:跨導放大器,輸出OV P比較器,禁用比較器,輸出UVLO比較儀。對于輸出電壓控制,跨導用放大器代替傳統的電壓放大器跨導放大器(電壓控制電流源)有助于OV P和disable函數輸出電流放大器根據電壓變化逆輸入與非逆輸入的區別放大器取消線路輸入電壓功率因數校正的影響及有效控制PFC塊的響應應該比線路頻率與暫態控制器的響應Tw o極一零型補償可以同時滿足這兩個要求。OV P比較器關閉輸出驅動塊當INV引腳電壓高于2.675 V時有0.175V的滯后禁用比較器當反向輸入的電壓低于0.35v,有100mv的滯后一個外部小信號MOSFET可用于禁用IC,如圖中的n所示集成電路工作電流如果集成電路是已禁用圖是內部額定功率因數校正輸出電壓時靠近輸入引腳的電路為390伏直流電,VCC電源電壓為15伏。

3.RDY輸出:當INV電壓高于2.24 V,RDY輸出被高觸發并持續到輸入交流電時,逆變器電壓低于2.051 V電壓很高,例如240伏交流電,功率因數校正輸出電壓總是高于RDY閾值,不管升壓變換器操作在這種情況下,INV在PFC-VCC之前,電壓已經高于2.24伏觸摸VSTART;無論如何,RDY輸出不會被觸發到直到VCC碰到VSTART升壓變換器后操作停止,RDY未被拉低,因為INV電壓高于RDY閾值當VCC功率因數校正電壓低于5伏時,RDY被拉低雖然PFC的輸出電壓高于閾值這個RDY引腳輸出為開路漏極,因此需要一個外部上拉電阻器來提供正確的電源RDY引腳輸出保持浮動,直到VCC高于2V。

4.控制范圍補償:定時控制通過帶有風扇7930 C的輸出電壓補償器。當輸入電壓很高而負載很輕時,與輸入時相比,控制范圍變窄電壓低控制范圍的減小是相反的與輸入電壓的平方成正比 因此在高端,輕載時易發生意外爆破作業助力器可能會發出聲音輸入濾波器處的電感器或電感器不同于其他轉換器,在PFC塊中的突發操作不是因為PFC塊本身通常是在待機模式下禁用減少意外輕載爆破作業,內部控制范圍實現補償功能并顯示序號在高壓線下連續運行至5%負荷。5個零電流檢測:零電流檢測(ZCD)產生MOSFET的導通信號當升壓電感電流達到零時,使用輔助輸入與電感耦合。當打開電源開關,在由于方向相反的輔助輸入(見方程式1)感應正電壓(見公式2)當電源開關關閉時。

W:VAUX是輔助輸入電壓;TIND是升壓電感匝;輔助輔助輸入匝;VAC是PFC轉換器的輸入電壓;VOUT_PFC是來自PFC轉換器的輸出電壓。

因為輔助輸入電壓可以從負-正電壓,ZCD中的內部塊引腳有正電壓和負電壓夾持電路當輔助電壓為負時,內部電路在零電流密度處夾住負電壓通過向序列號提供電流,在0.65 V附近引腳ZCD引腳和輔助電阻創作當輔助電壓高于6.5 V,電流通過輔助輸入到ZCD引腳。

輔助輸入電壓用于檢查升壓。電感電流零點實例當升壓電感電流變為零,在MOSFET漏極處的升壓電感和所有電容引腳:包括MOSFET的COSS;外部D-S引腳處的電容器,以降低電壓上升和MOSFET的下降斜率;寄生電容感應器;等等以提高性能共振的電壓被反映到輔助輸入中,并且可以是用于檢測升壓電感的零電流MOSFET電壓應力的谷位置對于山谷檢測,電阻器和電容器的小延遲是需要。電容器提高了ZCD引腳如果ZCD電壓高于1.5 V,則內部ZCD比較器輸出在ZCD下降沿低于1.4 V比較器輸出,內部邏輯開啟MOSFET

因為MOSFET的開啟依賴于ZCD輸入,sw瘙癢頻率可能增加到高于由于誤觸發或噪聲開啟而產生的幾兆赫附近的ZCD管腳如果sw瘙癢頻率更高比臨界傳導模式(CRM)所需,運行模式轉換為連續傳導模式(CCM)在CCM中,與CRM不同的是這里的boost電感下一次開關接通時電流重置為零;電感器電流在每個開關瘙癢周期累積,可以是上升到超高電流功率開關或二極管的額定值這可能是真的損壞電源開關為了避免這種情況,最大嵌入了sw癢頻限制如果ZCD在前一個3.3μs后再次施加信號門信號上升沿,忽略此信號內部和FA N7930C w等待另一個ZCD信號。這稍微降低了功率因數性能負載輕,輸入電壓高。

印刷電路板布局指南PFC塊通常處理高sw癢電流和電壓低能量信號路徑會受到高能量路徑謹慎的印刷電路板布局是強制性的穩定運行。1.柵極驅動路徑應盡可能短。從門驅動器開始的閉環系統,MOSFET柵極和MOSFET源對地PFC控制器應盡可能靠近這個也是電力地面和信號接地橋上的電源接地路徑二極管對輸出大容量電容器應短路還有我戰俘之間的共享地位接地和信號接地應僅在一處避免接地回路噪聲的位置信號路徑PFC控制器應該是短的要接觸的外部組件。

2.功率因數校正輸出電壓感測電阻器正常降低電流消耗這條路可以受到外界噪音的影響減少噪音INV引腳的電位,一個較短的輸出路徑建議感應如果較短的路徑不是可能的話,在PFC輸出和INV pin-接近INV pin好多了接近INV引腳的相對高壓會有幫助的。

3.ZCD路徑建議接近輔助從升壓電感到ZCD管腳如果很難,放一個小電容器(在下面50 pF)以降低噪音。

4.sw-itching電流檢測路徑不應共享用另一條路來避免干擾一些可能需要額外的組件來減少應用于CS管腳的噪聲級。

5.推薦VCC用穩定電容器盡可能靠近VCC和接地引腳如果是困難的是,將貼片電容器放在盡可能使用相應的管腳。

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