快速發布采購 管理采購信息

2011欧冠巴萨vs曼联:FDMF6704A-XSTM DRMOS XTRA小型高性能高頻DRMOS???/h1> 時間:2019-10-6, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

瓦伦西亚曼联 www.rxlibr.com.cn 好處:優點超緊湊尺寸-6毫米x 6毫米mlp,與傳統的8毫米x 8毫米drmos封裝相比節省44%的空間。充分優化系統效率。清晰的電壓波形,減少振鈴。高頻操作。特點超緊湊熱增強6毫米×6毫米MLP封裝84%比傳統的離散解決方案小。同步驅動器加場效應管多芯片???。高電流處理35 A。超過93%的峰值效率。邏輯電平脈寬調制輸入。Fairchild的PowerTrench®5技術MOSFET,用于清潔電壓波形和減少振鈴。對于高達1 MHz的開關頻率進行了優化。跳過模式SMOD[低側門關閉]輸入。fairchild-syncfettm[集成肖特基二極管]技術在低邊mosfet中的應用。集成自舉肖特基二極管。用于穿透?;さ淖允視γ徘ㄊ?。驅動器輸出禁用功能[解除引腳]。欠壓鎖定(UVLO)。仙童綠色包裝和符合RoHS標準。低調的SMD封裝。一般描述XSTM DRMOS系列是Fairchild的下一代完全優化,超緊湊,集成MOSFET加驅動電源級解決方案,用于大電流,高頻同步降壓DC-DC應用。fdmf6704a xstm drmos集成了一個驅動芯片,兩個功率mosfet和一個自舉肖特基二極管到一個熱增強,超緊湊的6毫米x 6毫米mlp封裝。采用集成的方法,在驅動器和MOSFET動態性能、系統電感和RDS(ON)方面對整個開關功率級進行了優化。這大大減少了與傳統的離散解決方案相關聯的封裝寄生和布局挑戰。xstm drmos采用fairchild的高性能powertrenchtm 5 mosfet技術,大大減少了同步buck變換器應用中的振鈴現象。powertrenchtm 5可以消除buck變換器應用中對緩沖電路的需求。驅動集成電路采用了先進的功能,如SMOD,以提高輕載效率。5 V門驅動器和改進的PCB接口優化的最大低側FET裸露焊盤面積,確保更高的性能。此產品與新的英特爾6毫米x 6毫米drmos規格兼容。應用緊湊型刀片服務器V核、非V核和VTT DC-DC轉換器。臺式計算機V-Core、非V-Core和VTT DC-DC轉換器。工作站V型芯、非V型芯和VTT型DC-DC變換器。游戲主板V型芯、非V型芯和VTT型DC-DC轉換器。游戲控制臺。大電流DC-DC負載點(POL)轉換器。網絡和電信微處理器電壓調節器。小型電壓調節器???。

描述

操作電路描述FDMF6704A是一個驅動加FET??橛嘔澆笛棺黃魍仄私峁?。正確驅動高側和低側mosfet只需要一個pwm輸入信號。每個部件都能驅動高達1兆赫的速度。Low Side驅動器的低側驅動器(GL)的目的是驅動地面參考低RDS(on)N溝道MOSFET。gl的偏壓在vdrv和cgnd之間是內在聯系的。當驅動器啟用時,驅動器的輸出與脈寬調制輸入相差180°。當驅動器被禁用(disb=0v)時,gl保持在低位。高側驅動器的高側驅動器(GH)被設計為驅動浮動N溝道MOSFET。高壓側驅動器的偏置電壓由一個由內部二極管和外部自舉電容(cboot)組成的自舉電源電路產生。在啟動過程中,vswh保持在pgnd,允許cboot通過內部二極管向vdrv充電。當脈寬調制輸入變高時,GH將開始對高壓側mosfet的柵極(Q1)充電。在這個轉換過程中,電荷從cboot中移除,并傳送到q1的柵極。當Q1開啟時,VSWH上升到VIN,迫使引導針進入VIN +VC(引導),這為Q1提供足夠的VGS增強。為了完成切換周期,q1通過將gh拉到vswh來關閉。當vswh降到pgnd時,cboot再充電到vdrv。gh輸出與pwm輸入同相。當駕駛員被禁用時,高側門保持在低位。SMOD SMOD(跳過模式)功能允許在輕載條件下提高轉換器效率。在SMOD過程中,LS FET被禁用,并防止輸出帽放電。當SMOD引腳拉高時,同步降壓轉換器將在同步模式下工作。當SMOD引腳拉低時,LS FET關閉。

SMOD功能沒有內部電流感應。該SMOD插銷連接到PWM控制器,當控制器檢測輕負載條件時,該控制器能夠自動或禁用SMOD。正常情況下,該引腳處于低激活狀態。自適應柵極驅動電路的驅動IC體現了一種先進的設計,確保最小MOSFET死區時間,同時消除潛在的穿透(交叉傳導)電流。它感知MOSFET的狀態,并自適應地調整柵極驅動器,以確保它們不同時進行。有關時序波形參見圖4。為了防止在低到高切換過渡期間的重疊(Q2關閉到Q1 on),自適應電路監視GL引腳處的電壓。當脈寬調制信號變高時,q2將在一些傳播延遲(tpdll)后開始關閉。一旦GL引腳放電低于1 V,Q1開始打開后自適應延遲TDHH。為了防止在高到低過渡期間的重疊(Q1到Q2上),自適應電路監視VSWH引腳處的電壓。當脈寬調制信號變低時,Q1將在一些傳播延遲(TPDHL)后開始關閉。一旦VSWH引腳低于1 V,Q2開始開啟后自適應延遲TDLH。此外,還監測了第一季度的VGS。當VGS(Q1)被低放電時,啟動第二自適應延遲,這導致Q2在250 ns之后被驅動,而不管VSWH狀態如何。該功能被實現以確保CBOOT被重新充電每個開關周期,特別是對于功率變換器正在下沉的電流和VSWH電壓不低于1 V自適應閾值的情況。250 ns的二次延遲比TDTLH長。

應用信息:電源電容器的選擇對于fdmf6704a的電源輸入(vcin),建議使用局部陶瓷旁路電容器來降低噪聲并提供峰值電流。至少使用1F、X7R或X5R電容器。將此電容器靠近FDMF6704A VCIN和PGND引腳。引導電路引導電路使用電荷存儲電容器(CBOOT),如圖23所示。100nF、X7R或X5R電容器的自舉電容足夠。為了提高開關噪聲抗擾度,需要一個串聯的自舉電阻。VCIN濾波器VDRV引腳提供功率的高側和低側功率場效應管柵極驅動器。在大多數情況下,它可以直接連接到VCIN,該引腳為驅動器的邏輯部分提供電源。對于額外的抗擾度,可以在VDRV和VCIN之間插入RC濾波器。建議值為10歐姆和1F。印刷電路板布局指南圖顯示了FDMF6704A和關鍵部件的正確布局示例。所有的大電流路徑,如vin、vswh、vout和gnd銅,都應該是短而寬的,以獲得更好和穩定的電流流、熱輻射和系統性能。以下是pcb設計者應該考慮的一個準則:1.輸入陶瓷旁路電容器必須接近fdmf6704a的vin和pgnd引腳,以幫助減少開關操作引起的輸入電流紋波分量。2.vswh銅記錄道有兩個用途。除了作為從drmos封裝到輸出電感的高頻電流路徑外,它還用作drmos封裝中較低fet的散熱片。磁道應足夠短和寬,以便在drmos和電感器之間呈現高頻、大電流流的低阻抗路徑,以最小化損耗和溫升。請注意,vswh節點是具有高噪聲電位的高壓高頻開關節點。應注意盡量減少與相鄰記錄道的耦合。此外,由于該銅跡線還充當下部FET的散熱器,必須權衡使用最大面積來改善DRMOS冷卻,同時保持可接受的噪聲發射。三.輸出電感位置應盡可能靠近FDMF6704A,以降低由于銅痕造成的功率損耗。應小心,以使電感耗散不會加熱drmos。四.輸出級使用的PowerTrench®5 mosfet在最小化振鈴方面非常有效。在大多數情況下,不需要減震器。如果使用緩沖器,則應將其放置在FDMF6704A附近。電阻器和電容器的尺寸應適合功耗。5.將陶瓷旁路電容器和引導電容器盡可能靠近FDMF6704A的VCIN和引導引腳,以確保清潔和穩定的電源?;褂悸遣枷嚦磯群統ざ?。6.包括從相位到VSWH的跟蹤,以改善噪聲容限。盡可能短的追蹤。

7.布局應該包括在啟動帽和啟動引腳之間插入一個小值串聯啟動電阻的選項。引導環大小,包括RBOOT和Cboot,應該盡可能小。啟動電阻通常不是必需的,但是在改善多相設計中的噪聲操作裕度方面是有效的,該多相設計可能由于接地跳動和高負VSWH振鈴而產生噪聲問題。vin和pgnd管腳處理頻率高于100mhz的大電流瞬變。如果可能的話,這些封裝引腳應該直接連接到車輛識別號和板接地平面。不鼓勵使用與這些管腳串聯的散熱痕跡,因為這會增加電源路徑的電感。這種與pgnd管腳串聯的附加電感將通過增加負vswh振鈴而降低系統的抗噪聲能力。8.cgnd焊盤和pgnd引腳應采用多通孔平面接地銅連接,以保證穩定接地。接地不良會在cgnd和pgnd之間產生噪聲瞬態偏移電壓電平。這可能導致柵極驅動器和mosfet的故障運行。9.啟動引腳的振鈴最有效地通過啟動電容器的緊密放置來控制。不要給PGND電容器增加額外的?;ぬ?。這可能會導致流過引導二極管的電流過大。10.SMOD、DISB和PWM引腳沒有內部上拉或下拉電阻器。它們不應該漂浮。這些插腳不應該有任何噪聲過濾帽。11號。在每個銅區域上使用多個通孔以連接頂部、內部和底層,以幫助平滑電流和熱傳導。過孔應相對較大且電感合理。諸如Rboot、Cboot、RC緩沖器和旁路帽的關鍵高頻部件應該位于靠近DRMOS??楹臀揮赑CB的同一側作為???。如果不可行,則應通過低電感過孔網絡從背面連接



技術文章分類
相關技術文章